SI2601DN-T1-GE3 datasheet
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>> SI2601DN-T1-GE3 MOSFET 20V 19mohm @ 4.5V datasheet RF/IF 和 RFID
型号:
SI2601DN-T1-GE3
库存数量:
可订货
制造商:
Vishay/Siliconix
描述:
MOSFET 20V 19mohm @ 4.5V
RoHS:
否
详细参数
参数
数值
产品分类
RF/IF 和 RFID >> MOSFET
描述
MOSFET 20V 19mohm @ 4.5V
制造商
Vishay/Siliconix
晶体管极性
汲极/源极击穿电压
闸/源击穿电压
漏极连续电流
电阻汲极/源极 RDS(导通)
配置
最大工作温度
安装风格
封装 / 箱体
封装
Reel
相关资料
属性
链接
代理商
SI2601DN-T1-GE3
SI2704-A10-GM
SI2704-A10-GMR
Si2705-A10-GM
SI2706-A10-GM
SI2707-A10-GM
供应商
公司名
电话
深圳市金嘉旭贸易有限公司
0755-83259964
金
深圳市佳斯泰科技有限公司
13612973190
廖先生
深圳市源运电子商行
15913992480
林先生
深圳市华盛锦科技有限公司
0755-82798020
张先生/雷小姐
朱培
18356208742
朱培
SI2601DN-T1-GE3 参考价格
价格分段
单价(美元)
总价
1,850
0.634
1172.9
3,000
0.538
1614
6,000
0.51
3060
12,000
0.496
5952
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